产品展示更多>>
- PECVD等离子体增强气相沉积
- PECVD等离子体增强气相沉积
- PECVD等离子体增强化学气相沉积是一种利用等离子体来促进气体反应的CVD技术。其特点包括：
1、低温沉积：PECVD可以在较低的基材温度下进行，因为等离子体提供的能量能够促进气体反应，降低沉积温度的需求。
2、高沉积速率：等离子体增强了气体反应速率，从而提高了薄膜沉积速率。
3、良好的膜质量：PECVD沉积的薄膜通常具有较好的均匀性和较低的缺陷密度，适用于需要高质量薄膜的应用。
4、适应性强：可以沉积多种材料，包括氧化物、氮化物和氟化物等，广泛应用于半导体、光电器件和保护涂层等领域。
5、控制性好：通过调整等离子体的参数（如功率、气体流量和压力），可以精确控制薄膜的成分和性质。
加热炉参数
▪最高温度：1200ºC（<30min），连续工作温度：1100℃；
▪两个PID温度控制器及30段可编程温控系统；
▪输入功率：208-240V，单相，最大功率：2.5KW；
▪高纯氧化铝纤维保温层可以最大限度降低能耗；
▪回转炉旋转速度：2-10rpm；
▪炉体开启式设计，以达到对样品快速降温，方便更换炉管。