晶体定位面：

A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.

传导类型：

N型；半绝缘型

电阻率：

R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm

表面粗糙度：

<0.5nm

位错密度：

<5x106Ω.cm

可用表面积：

>90%

TTV:

≤15um；