主要特点：

1、CVD可以在不同的基材表面沉积高纯度的薄膜，且厚度均匀，适用于精细的电子器件和高质量涂层。

2、通过化学反应生成的薄膜通常与基材具有良好的附着力，这使得薄膜在使用过程中不易剥落。

3、CVD技术能够在复杂形状的基材上形成均匀的涂层，包括在深孔和狭缝中，这对制造复杂结构的半导体器件特别重要。

4、CVD适用于沉积各种材料，如金属、氧化物、氮化物、硅化物等，能够满足不同应用需求。

5、通过调节气体流量、温度、压力和反应时间，可以精确控制薄膜的厚度和成分，从而实现不同的材料特性。

6、CVD过程通常在高温下进行，这使得其适合于制备需要高温处理的材料，如陶瓷和硬质涂层。

7、CVD能在基材表面形成非常平滑的薄膜，适用于需要高表面质量的应用，如光学薄膜和半导体器件。

8、CVD技术有多种变体，如低压CVD（LPCVD）、高压CVD（HPCVD）、等离子体增强CVD（PECVD）等，可以根据具体需求选择合适的工艺。

用CVD法沉积薄膜的生长过程可分为以下几个步骤：

① 参加反应的混合气体被输送到衬底表面。

② 反应物分子由主气流扩散到衬底表面。

③ 反应物分子吸附在衬底表面上。

④ 吸附分子与气体分子之间发生化学反应，生成固态物质，并沉积在衬底表面。

⑤ 反应副产物分子从衬底表面解析。

⑥ 副产物分子由衬底表面扩散到主气体流中，然后被排出沉积区。