1、低温沉积：PECVD可以在较低的基材温度下进行，因为等离子体提供的能量能够促进气体反应，降低沉积温度的需求。

2、高沉积速率：等离子体增强了气体反应速率，从而提高了薄膜沉积速率。

3、良好的膜质量：PECVD沉积的薄膜通常具有较好的均匀性和较低的缺陷密度，适用于需要高质量薄膜的应用。

4、适应性强：可以沉积多种材料，包括氧化物、氮化物和氟化物等，广泛应用于半导体、光电器件和保护涂层等领域。

5、控制性好：通过调整等离子体的参数（如功率、气体流量和压力），可以精确控制薄膜的成分和性质。

PCVD工艺的流程：

(1)沉积。沉积过程借助低压等离子体使流进高纯度石英玻璃沉积管内的气态卤化物和氧气在1000℃以上的高温条件下直接沉积成设计要求的光纤芯中玻璃的组成成分。

(2)熔缩。沿管子方向往返移动的石墨电阻炉对小断旋转的管子加热到大约2200℃，在表面张力的作用下，分阶段将沉积好的石英管熔缩成一根实心棒(预制棒)。

(3)套棒。为获得光纤芯层与包层材料的适当比例，将熔缩后的石英棒套入一根截面积经过精心挑选的管子中，这样装配后即可进行拉丝。

(4)拉丝。套棒被安装在拉丝塔的顶部，下端缓缓放入约2100℃的高温炉中，此端熔化后被拉成所需包层直径的光纤(通常为125 cm)，并进行双层涂覆和紫外固化。

(5)光纤测试。拉出的光纤要经过各种试，以确定光纤的几何、光学和机械性能。